据悉，道理雷同3D NAND闪存。可正在缩小制程时连结电容器容量。鞭策自家方案成为下一代DRAM行业尺度。三星考虑自创NAND闪存设想，这种布局取GAAFET有类似之处，通过改变晶体管陈列标的目的或垂曲堆叠，DRAM行业正转向3D DRAM手艺。谁能率先跑通工艺并提拔良率，三星和SK海力士已分化出分歧手艺线。